Розглянуто технологічні аспекти формування тонких карбонових плівок <$E alpha>-C:H, особливості іонно-плазмових спектрів Q-DLТS гетероструктур <$E alpha>-C:H-Si та <$E alpha>-C:H-GaAs і визначено енергію активації, переріз захоплення та густину глибоких пасток, відповідальних за зарядовий стан. Встановлено кореляцію між технологічними режимами формування плівок <$E alpha>-C:H і густиною пасток. Визначено технологічні методи та режими, які надають можливість одержувати структури з відносно невеликою густиною поверхневих станів (NПС) <<= 10<^>12 см<^>-2, що надає можливість використання цих структур в ролі підзатворного діелектрика в GaAs-KMOH структурних ВІС.

  Повний текст PDF - 847.131 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"