Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates

Novosyadlyj, S.; Dzundza, B.; Gryga, V.; Novosyadlyj, S.; Kotyk, M.; Mandzyuk, V.


	Наукова періодика України		Eastern-European journal of enterprise technologies

Novosyadlyj S.
Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates / S. Novosyadlyj, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosyadlyj, M. Kotyk, V. Mandzyuk // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2017. - № 3(5). - С. 54-61. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2017_3%285%29__9

Проведено аналіз складних структур різної архітектури IC/BIC на епішарах GaAs, сформованих на Si-підкладках. Вияснено вплив процесів розсіюваних носіїв заряду на флуктуаціях потенціалу на величину і профіль рухливості електронів по товщині епітаксіальної структури. Експериментально показано, що підвищення крутизни в транзисторах Шотткі на основі структур із заглибленими шарами можливе за зниження опору паразитних областей затвор-стік, затвор-витік.

Повний текст PDF - 979.539 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Novosyadlyj S. Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates / S. Novosyadlyj, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosyadlyj, M. Kotyk, V. Mandzyuk // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2017. - № 3(5). - С. 54-61. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2017_3(5)__9.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Мандзюк Володимир Ігорович (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача