Наукова періодика України Eastern-European journal of enterprise technologies

Pagava T. 
Role of boron in formation of secondary radiation defects in silicon / T. Pagava, L. Chkhartishvili, N. Maisuradze, R. Esiava, Sh. Dekanosidze, M. Beridze, N. Mamisashvili // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2015. - № 4(5). - С. 52-58. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2015_4%285%29__11
Досліджено роль домішок бору у формуванні вторинних радіаційних дефектів у кристалах кремнію. Залежності цих процесів від температури ізохронного відпалу (в інтервалі 80 - 600 <^>oC) вивчено з використанням холлівських вимірювань температурних залежностей (в інтервалі 100 - 300 K) концентрації та рухливості дірок у кремній до та після опромінення електронами з енергією близькою 8 МеВ за дози 5х10<^>15 см<^>-2.
  Повний текст PDF - 331.727 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Pagava T.
  • Chkhartishvili L.
  • Maisuradze N.
  • Esiava R.
  • Dekanosidze S.
  • Beridze M.
  • Mamisashvili N.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Pagava T. Role of boron in formation of secondary radiation defects in silicon / T. Pagava, L. Chkhartishvili, N. Maisuradze, R. Esiava, Sh. Dekanosidze, M. Beridze, N. Mamisashvili // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2015. - № 4(5). - С. 52-58. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2015_4(5)__11.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського