Фізико-технологічні аспекти багатозарядної імплантації арсенід галію в структурах приладів і схем

Новосядлий, С. П.; Мельник, Л. В.; Кіндрат, Т. П.


	Наукова періодика України		Eastern-European journal of enterprise technologies

Новосядлий С. П.
Фізико-технологічні аспекти багатозарядної імплантації арсенід галію в структурах приладів і схем / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник, Т. П. Кіндрат // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2013. - № 5(5). - С. 29-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2013_5%285%29__8

Проведено систематизацію даних про основні закономірності процесів іонного легування арсеніду галію. Проаналізовано вплив технологічних факторів на параметри імплантованих шарів, використання методів іонної імплантації в тому числі високоенергетичної багатозарядної у процесі формування приладних структур швидкісних великих інтегральних схем на арсеніді галію.

Повний текст PDF - 386.759 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Новосядлий С.

Мельник Л.

Кіндрат Т.

Бібліографічний опис для цитування:

Новосядлий С. П. Фізико-технологічні аспекти багатозарядної імплантації арсенід галію в структурах приладів і схем / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник, Т. П. Кіндрат // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2013. - № 5(5). - С. 29-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2013_5(5)__8.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Новосядлий Степан Петрович (технічні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача