Досліджено термоіндуковані кристалізаційні процеси в халькогенідних стеклах 80GeSe2 - 20Ga2Se3 з використанням рентгенівської дифрактометрії, атомно-силової мікроскопії та позитронної анігіляційної спектроскопії. Показано, що спостережувані зміни в дефектній компоненті анігіляційного спектра під час відпалу свідчать про нуклеацію, яка супроводжується агломерацією пустот на початкових етапах термічного відпалу з подальшою структурною фрагментацією великих вільнооб'ємних пустот у більшу кількість пустот меншого розміру за одночасної кристалізації фаз GeGa4Se, Ga2Se3 і GeSe2. Зважаючи на відхилення значень часу життя позитронів <$E tau sub roman b> від відповідних значень для компонентів GeSe2 і Ga2Se3, досліджувані стекла не можна класифікувати як типові псевдобінарні системи.

  Повний текст PDF - 550.363 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"