Наукова періодика України Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

Ваків М. М. 
Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів i-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2013. - № 764. - С. 102-106. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2013_764_19
Досліджено технологічні аспекти одержання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, за допомогою методу РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану надає змогу кристалізувати епітаксійні p - i - n структури GaAs з шириною i-області з майже у 2 рази більшою товщиною, ніж за використання технології "вологого водню".
  Повний текст PDF - 241.645 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Ваків М.
  • Круковський С.
  • Тимчишин В.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Ваків М. М. Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів i-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2013. - № 764. - С. 102-106. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2013_764_19.
    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Ваків Микола Михайлович (1952–) (технічні науки)
  • Круковський Семен Іванович (технічні науки)
    •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського