Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, одержаних із індієвих і вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур <$E 670~-~550~symbol Р roman C>. Встановлено, що за концентрацій Mg 0,07 - 0,12 ат. % у розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70 000 до 92 000 см<^>2/<$E roman {B~cdot~c}>. За концентрацій <$E Mg~symbol Ы~1,1> ат. % в індієвих і за 0,56 ат. % у вісмутових розплавах кристалізуються шари p-InAs.