Проведено теоретичне дослідження імпульсних властивостей фосфіду індію. Дано аналіз ефекту "сплеску" дрейфової швидкості носіїв заряду. Проведено чисельний експеримент впливу параметрів імпульсу електричного поля на тимчасовий та просторовий розподіл дрейфової швидкості. Показано, що дія прямокутного імпульсу сильного електричного поля в InP призводить до короткочасного "сплеску" швидкості дрейфу. Отримано, що з посиленням поля пікові значення швидкості зростають, а тривалості "сплеску" скорочуються. Показано, що тривалість імпульсу не впливає на величину "сплеску" і швидкість релаксаційних процесів. Зі збільшенням тривалості фронту прямокутного імпульсу сильного поля пікові значення "сплеску" зменшуються. Проведено порівняння імпульсних властивостей фосфіду індію та арсеніду галію.

  Повний текст PDF - 473.484 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"