Встановлені умови формування пошарових нанометричних покриттів SiO2, C, TiO2 на діелектричні поверхні з подальшим створенням на них наноструктур комбінованим методом термовакуумного випаровування. Методами растрової електронної та атомно-силової мікроскопії досліджені залишкові мікронерівності та стан поверхонь функціональних наноструктур в процесі їх експлуатації в умовах агресивних середовищ. Показано, що формування функціональних наноструктур на діелектричних поверхнях термічним випаровуванням у вакуумі дозволяє покращити мікрогеометрію цих поверхонь, зменшити залишкову поруватість покриттів та забезпечити їх гідрофобність, чим підвищити у 1,5 - 2 рази їх зносостійкість та на 15 - 22 % - адгезійну міцність.

  Повний текст PDF - 1.51 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"