Гомогенізацію визначено як метод обробки, який полягає у витримці за високої температури поблизу ліквідуса (від 0,7 до 0,8 температури топлення) з метою усунення процесів дифузії, зумовлених хімічною неоднорідністю. Причиною сегрегації є вибіркове твердіння кристала за умов поступової зміни складу твердої фази. Розтоп починає з'являтися після деякого переохолодження під час остигання та росту зародків відповідно до загальних законів кристалізації. Кожний жорсткий шар має різний хімічний склад. Перша частина твердої фази мала низьку концентрацію легувальних елементів, остання - навпаки, високу. Сприйнятливість до сегрегації кристалічного стопу тим більша, чим більший температурний інтервал твердіння стопів та відстань по горизонталі між лініями ліквідуса і солідуса. Сегрегація кристала також зростає зі збільшенням кількості легувальних елементів, яка в даних експериментальних стопах становила 6 - 9 %. Сегрегація кристала може бути усунена дифузією, для цього необхідно створити умови шляхом гомогенізульвального відпалу сталі.Гомогенизация определена как метод термической обработки, который состоит из временной выдержки при высокой температуре вблизи ликвидуса (примерно от 0,7 до 0,8 температуры плавления), чтобы устранить химическую неоднородность диффузии. Температура и длительность процесса гомогенизации выбраны так, чтобы получилось растворение равновесия интерметаллических фаз, образующихся в процессе кристаллизации и последующего распространения элементов в твердых alpha решениях.

  Повний текст PDF - 2.045 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"