Розраховано напругу холостого ходу кремнієвого сонячного елемента на основі асиметричного n⁺-p переходу з модифікованим шаром в області просторового заряду. Розглянуто надбар'єрний та тунельний механізми переносу струму через модифікований шар. Для випадку надбар'єрного переносу зменшення струму насичення може бути співрозмірне із випадком тунельного переносу. Перший випадок є імовірним для модифікованих щарів більшої товщин. Показано що відносне зростання напруги холостого ходу складає близько десяти відсотків, якщо струм короткого замикання вихідної структури зберігається, принаймні, незмінним. В свою чергу більша товщина модифікованого шару надає змогу одержувати вищі значення додаткового струму внаслідок додаткового інфрачервоного поглинання.

  Повний текст PDF - 262.223 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"