За допомогою методів електронної спектроскопії досліджено зміну електронних властивостей поверхні Si(113) у разі створення на ній багатошарової структури окиснених атомів Gd. Показано, що почергова адсорбція атомів Gd та атомарного кисню за кімнатної температури призводить до зменшення роботи виходу від 4,75 еВ для Si(113)-<$E3~times~2> до <$Esymbol Ы~1,9> еВ для багатошарової структури окиснених атомів Gd. Під час відпалу такої структури у разі <$E600~symbol Р roman C> за умов надвисокого вакууму робота виходу зменшується до <$Esymbol Ы~1,0> еВ. Одержані результати пояснюються створенням шару силікату Gd та утворенням на поверхні дипольного шару O-Gd.

  Повний текст PDF - 265.249 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"