Наведено результати експериментального дослідження впливу одновісного тиску та зовнішнього електричного поля на діелектричні властивості кристалів ТГС, легованих металічними домішками Cu<^>2+, в околі структурного сегнетоелектричного фазового переходу. Одержані результати порівняно з літературними даними для нелегованого домішками кристалу ТГС. Результати експериментальних вимірювань показали, що для кристалів ТГС + Cu<^>2+ одновісний тиск <$Esigma sub 2> призводить до зменшення максимальних значень діелектричної проникності та зменшення температури фазового переходу, а зовнішнє електричне поле призводить до зменшення максимального значення діелектричної проникності і зростання температури фазового переходу.

  Повний текст PDF - 259.806 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"