Досліджено властивості структури InGaPN на GaAs (001), узгоджені за параметром гратки, із застосуванням рентгенівської дифракції високої роздільної здатності (РДВРЗ), Раманівської спектроскопії (РС) і атомної силової мікроскопії (АСМ). Шари InGaPN було вирощено за методом епітаксії металоорганічних з'єднань з газової фази. У разі одержання InGaPN, узгодженого за параметром гратки, на GaAs швидкості потоків тріметіліндія і тріметілгалія були, відповідно, 14,7 та 8,6 мкмоль/хв. Зміст N було оптимізовано за швидкості потоку диметилгидразина (попередник N), що дорівнює 300 мкмоль/хв. Комбінуючи РДВРЗ і РС вимірювання, зміст In і N оцінено як 55,8 і 0,9 ат.%, відповідно. Для всіх шарів неузгодженість гратки була менше 0,47 %. Для поліпшення якості гратки InGaPN шарів, було застосовано швидкий термічний відпал (ШТВ) за температури <$E650~symbol Р roman C>, оптимальної для зростання GaAs буферного шару. Час відпалу змінювався від 30 до 180 с для досягнення однорідності складу. Збільшення часу відпалу до 120 с призвело до незначного зростання змісту In і N. При цьому АСМ показала, що середньоквадратична шорсткість InGaPN поверхні зменшилася. У разі збільшення часу відпалу різко падає вміст N без змін у вмісті In. Середньоквадратична шорсткість також зростає. ШТВ за <$E650~symbol Р roman C> протягом 120 с значно поліпшив властивості структури шарів InGaPN на GaAs (001), узгоджених за параметром гратки.

  Повний текст PDF - 1.529 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"