Наукова періодика України | Ukrainian journal of physics | ||
Kozinetz A. V. Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction / A. V. Kozinetz, S. V. Litvinenko, V. A. Skryshevsky // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 4. - С. 318-325. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_4_8 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Kozinetz A. V. Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction / A. V. Kozinetz, S. V. Litvinenko, V. A. Skryshevsky // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 4. - С. 318-325. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_4_8. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |