Теоретично досліджено вплив асиметрії дзеркального відображення на локалізацію електрона і дірки в самоорганізованих латеральних молекулах з InGaAs/GaAs квантовими точками. Використано запропонований раніше метод відображення для моделювання хвильової функції основного стану електрона (дірки) та їх енергії в молекулах. Подібний підхід є зручним для зіясування важливих питань, пов'язаних з контролем та стабільністю хвильових функцій і діамагнітного коефіцієнта носіїв, обмежених в латеральних напівпровідникових молекулах з квантовими точками з порушеною симетрією відбиття. Результати моделювання показують, що в симетричній (збалансованій) молекулі хвильова функція основного стану носія розподілена порівну між двома потенціальними ямами відповідно до місць локалізації квантових точок, що утворюють молекулу. Тим не менш, навіть дуже невеликий дисбаланс (асиметрія) дзеркального відображення в геометрії молекул руйнує симетричний розподіл хвильової функції. Наслідком цього є локалізація хвильової функції у потенціальній ямі тільки однієї з точок, що призводить до швидкого зменшення діамагнітного коефіцієнта. Виявлено, що хвильова функція дірок є більш чутливою до дисбалансу в дзеркальному відображенні, ніж хвильова функція електрона, і ефект локалізації зростає, коли відстань між квантовим точками в молекулі збільшується.

  Повний текст PDF - 789.05 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"