Наукова періодика України Ukrainian journal of physics

Pavlyk B. V. 
Electrophysical characteristics of near-surface layers in p-Si crystals with sputtered Al films and subjected to elastic deformation / B. V. Pavlyk, M. O. Kushlyk, R. I. Didyk, Y. A. Shykorjak, D. P. Slobodzyan, B. Y. Kulyk // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 8. - С. 742-747. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_8_8
Показано, що осаджена плівка Al на поверхню (111) кристала Si(p) формує деформаційне поле в приповерхневому шарі. За одновісної пружної деформації кристала спостерігається гетерування дефектів з об'єму зразка у приповерхневому шарі під напиленою плівкою. Одержана залежність зміни величини опору цих зразків від величини пружної деформації підтверджує гетерування електрично активних дефектів у приповерхневому деформованому шарі. Проведено теоретичні розрахунки максимальної глибини захоплення цих дефектів на основі енергії взаємодії деформованого шару та дислокацій.
  Повний текст PDF - 812.157 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Pavlyk B.
  • Kushlyk M.
  • Didyk R.
  • Shykorjak Y.
  • Slobodzyan D.
  • Kulyk B.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Pavlyk B. V. Electrophysical characteristics of near-surface layers in p-Si crystals with sputtered Al films and subjected to elastic deformation / B. V. Pavlyk, M. O. Kushlyk, R. I. Didyk, Y. A. Shykorjak, D. P. Slobodzyan, B. Y. Kulyk // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 8. - С. 742-747. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_8_8.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського