Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals

Pagava, T. A.; Beridze, M. G.; Maisuradze, N. I.; Chkhartishvili, L. S.; Kalandadze, I. G.

Досліджено природу та розміри розупорядкованих областей, створюваних у монокристалах n-Si опроміненням високоенергетичними (25 МеВ) протонами, за допомогою холлівських вимірювань електрофізичних параметрів. Використано зонноплавлені зразки, леговані фосфором з концентрацією <$E 6~cdot~10 sup 13> см<^>-3. Опромінення проведено за умови кімнатної температури в інтервалі доз <$E (1,8~-~8,1)~cdot~10 sup 12> см<^>-2. У ряді зразків, залежно від дози опромінення та температури ізохронного відпалу, спостережено різке збільшення ефективної холлівської рухливості <$E mu sub roman eff>, що пояснюється утворенням у зразках у випадку їх опромінення високоенергетичними протонами "металевих" включень, тобто областей із провідністю істотно вищою у порівнянні з провідністю напівпровідникової матриці. Радіус подібних областей оцінено як <$E R sub m~<<~ 80> нм. Висловлено припущення, що "металеві" включення є нанорозмірними атомними кластерами.


	Наукова періодика України		Ukrainian journal of physics