Развит формализм для последовательного описания микроструктурных превращений и фазового расслоения в системах, пребывающих в сильнонеравновесных условиях, вызванных облучением. Анализ проведён в рамках метода фазового поля кристалла, который позволяет проводить исследование на пространственных масштабах молекулярной динамики, но на временных интервалах диффузионной динамики. Определены условия прохождения микроструктурных превращений в периодических однокомпонентных системах кристаллического типа при наличии конкурирующих стохастических потоков: термически стимулируемого и баллистического перемешивания атомов. При анализе поведения системы на более высоком иерархическом уровне для бинарных систем эквиатомного состава установлен реверсивный характер протекания процесса фазового расслоения. Для систем с несоизмеримыми временными масштабами распространения возмущений, которые характеризуются эффектами памяти, обнаружено присутствие процессов отбора структур при наличии флюктуаций длин прыжков атомов, выбитых высокоэнергетическими частицами.

  Повний текст PDF - 3.354 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"