Про механізм впливу газового середовища на електрофізичні параметри гетероструктур на основі бар’єра Шотткі з наноструктурованими плівками складу (95% In2О3 + 5% SnO2)

Ільченко, В. В.; Костюкевич, О. М.; Лендєл, В. В.; Радько, В. І.; Голобородько, Н. С.

Проведено експериментальні дослідження електрофізичних властивостей газочутливих гетероструктур складу Ni - (95 % In2O3 + 5 % SnO2) - p-Si. Аналіз їх вольтамперних характеристик (ВАХ), одержаних у різних газових середовищах, виявив суттєве зростання зворотних струмів крізь зразки за присутності пари етилового та ізопропілового спиртів. Для пояснення цих змін розглянуто різні механізми протікання струму крізь гетероперехід. Показано, що суттєву роль у зсувах зворотних гілок ВАХ даних зразків відіграють зміни висоти потенціального бар'єра гетеропереходу, спричинені зміною дії сил електростатичного зображення в інтерфейсі. А зміни дії сил електростатичного зображення, своєю чергою, зумовлені впливом адсорбату на діелектричну проникність оксидних плівок.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"


	Наукова періодика України		Український фізичний журнал