Наведено результати експериментальних спостережень за допомогою методу сканувальної тунельної мікроскопії нової поверхневої надструктури <$E 5,5 sqrt 3~times~5,5 sqrt 3~-~R30 symbol Р> на підкладці Ge(111). Їй притаманні яскраво виражені ефекти локальної густини електронних станів, що спричиняють сильну залежність СТМ зображень від тунельної напруги, а також їх динамічні зміни за 300 K. Запропоновано інтерпретацію даної надструктури як графену, що формується у малих субмоношарових кількостях шляхом піролізу вуглеводневих складових залишкової атмосфери вакуумної камери під час відпалу зразка Ge(111) за 900 K. Побудовано атомарну модель гетероепітаксійного інтерфейсу графен/Ge(111)-<$E 5,5 sqrt 3~times~5,5 sqrt 3~-~R30 symbol Р>, що відзначається реконструйованою підкладкою Ge(111) без дальнього порядку під шаром графену, який є періодично вигнутим по висоті внаслідок просторових варіацій міжатомної геометрії надзвичайно сильно неузгоджених граток Ge(111) і графен(0001).

  Повний текст PDF - 2.352 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"