Використовуючи поняття термодинамічного потенціалу для характеристики кристала розраховано залежність концентрації електронів від температури у CdTe після відпалу у парі Cd у разі її максимального тиску. Розрахунок проведено для моделі домінування (МД) <$E {roman Cd} sub i sup 2+> і МД <$E V sub roman Te sup 2+>. Визначено температурну залежність ентальпії утворення домінуючого дефекту.За допомогою методу термодинамічних потенціалів проаналізовано домінуючі точкові дефекти, а також рівноважну концентрацію вільних носіїв заряду та ступінь відхилення від стехіометрії SnTe залежно від технологічних факторів двотемпературного відпалу - температури відпалу T і тиску пари халькогену PTe2. Розраховано енергії утворення моновакансій металу та халькогену.Проведено розрахунок концентрацій точкових дефектів і вільних носіїв заряду у металічній та напівпровідниковій фазі монокристалічного моносульфіду самарію, що знаходиться у рівновазі з парою металу. Визначено температурну залежність лінії солідусу з боку надлишку металу та встановлено переважаючий тип дефектів на межі області гомогенності сполуки.