Представлены результаты исследований характеристик датчика Холла предложенной конструкции на основе гетероструктуры AlGaN/GaN с различными геометрическими параметрами активной области, функционирующего в диапазоне температуры от –25 до 400 °C. Исследования выполнены с использованием программных средств приборно-технологического моделирования. Активным слоем датчика является область двумерного электронного газа, которая формируется между барьерным слоем Al_0,3Ga_0,7N и нелегированным канальным слоем GaN. Полученные результаты (магнитная чувствительность по току 66,4 В / (А · Тл) при комнатной температуре, температурный коэффициент магнитной чувствительности 0,0273 % / °C) свидетельствуют о перспективности предлагаемого решения для практического использования.Наведено результати досліджень характеристик датчика Холла запропонованої конструкції на основі гетероструктури AlGaN / GaN з різними геометричними параметрами активної області, який функціонує в діапазоні температури від -25 до 400°C. Дослідження виконано з використанням програм¬них засобів приборно-технологічного моделювання. Активним шаром датчика є область двовимірного електронного газу, яка формується між бар'єрним шаром Al_0,3Ga_0,7N і нелегованим канальним шаром GaN. Одержані результати (магнітна чутливість за струмом 66,4 В / (А · Тл) за кімнатної температури, температурний коефіцієнт магнітної чутливості 0,0273 % / °C) свідчать про перспективність запропонованого рішення для практичного використання.The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400°C. The research was performed using device-technological simulation. The active layer of the proposed structure is a two-dimensional electron gas region, which is formed between the barrier layer Al_0,3Ga_0,7N and the undoped GaN channel layer. The results (room temperature current-related magnetic sensitivity 66.4 V / (A•T) and very low temperature cross sensitivity of 0,0273 % / °C) indicate the prospects of the proposed solutions for the practical use.

  Повний текст PDF - 336.229 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"