Исследовано изменение термоэлектрических свойств кристаллов Bi²Te³, легированнных висмутом и индием, во время их хранения. Показано, что это связано с самопроизвольным перетеканием атомов Cu, осевших в начальный период кристаллизации между слоями Te⁽²⁾ — Bi, Bi — Te⁽²⁾ и в дефектных центрах, перпендикулярно поверхности кристалла (0001), которое завершается образованием диссипативных наноструктур. Установлено, что наиболее значительно изменяются термоэлектрические свойства кристаллов, легированных индием.Досліджено зміну термоелектричних властивостей кристалів Bi²Te³, легованих вісмутом та індієм, під час їх зберігання. Показано, що це пов'язано з самовільним перетіканням атомів Cu, які осіли в початковий період кристалізації між шарами Te⁽²⁾ — Bi, Bi — Te⁽²⁾ та в дефектних центрах, перпендикулярно поверхні кристала (0001), яке завершується утворенням дисипативних наноструктур. Встановлено, що найбільш істотно змінюються термоелектричні властивості кристалів, легованих індієм.The authors investigate the change in the thermoelectric properties of Bi2Te3 crystals doped by bismuth and indium during their storage. It is shown that such change is caused by the spontaneous overflow of Cu atoms deposited during the initial crystallization period between Te(2)—Bi and Bi—Te(2) layers, and in defect centers perpendicularly to the surface of the crystal (0001), which culminates in the formation of dissipative nanostructures. It was found that thermoelectric properties of crystals doped with indium undergo the most significant change.

  Повний текст PDF - 335.915 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"