Наукова періодика України Технологія та конструювання в електронній апаратурі


Басанец В. В. 
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов / В. В. Басанец, В. С. Слепокуров, В. В. Шинкаренко, Р. Я. Кудрик, Я. Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2015. - № 1. - С. 33-37. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2015_1_6
Исследовано удельное сопротивление омического контакта Au - Ti - Pd - n-Si и механизм токопереноса в интервале температур 100 - 360 К. Предложен способ уменьшения погрешности определения удельного контактного сопротивления на основе анализа статистических зависимостей измеренных величин. Измеренные значения удельного контактного сопротивления лежат в диапазоне (0,9 - 2)•10{\up\fs8 –5} Ом•см{\up\fs8 2}. При использовании температурной зависимости удельного контактного сопротивления установлено, что в омическом контакте с высотой барьера 0,22 эВ в температурном диапазоне 100 - 200 К преобладает полевой механизм токопереноса, а в диапазоне 200 - 360 К - термополевой с энергией активации примерно 0,08 эВ.Досліджено питомий опір омічного контакту Au - Ti - Pd - n-Si та механізм струмопротікання в інтервалі температур 100 - 360 К. Запропоновано спосіб зменшення похибки визначення питомого контактного опору на основі аналізу статистичних залежностей виміряних величин. Виміряні значення питомого контактного опору знаходяться в діапазоні (0,9 - 2)•10{\up\fs8 –5} Ом•см{\up\fs8 2}. На основі температурної залежності питомого контактного опору встановлено, що в омічному контакті з висотою бар'єра 0,22 еВ у температурному діапазоні 100 - 200 К переважає польовий механізм струмопротікання, а в діапазоні 200 - 360 К - термопольовий з енергією активації 0,08 еВ.Both contact resistivity of Au - Ti - Pd - n-Si ohmic contact and mechanism of current flow are studied in the 100 - 360 K temperature range. A method is proposed for reduction of error in determination of contact resistivity based on analysis of statistical dependences of the measured contact resistivity values (which are in the range of (0.9 -2)•10{\up\fs8 –5} Ω•cm{\up\fs8 2}). On the basis of the contact resistivity temperature dependence, it is found for an ohmic contact with barrier height of 0.22 eV that the field mechanism of current flow is predominant in the 100 - 200 K temperature range, while thermal-field emission with activation energy of 0.08 eV is predominant in the 200 - 360 K temperature range.
  Повний текст PDF - 667.677 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Басанец В.
  • Слепокуров В.
  • Шинкаренко В.
  • Кудрик Р.
  • Кудрик Я.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Басанец В. В. Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов / В. В. Басанец, В. С. Слепокуров, В. В. Шинкаренко, Р. Я. Кудрик, Я. Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2015. - № 1. - С. 33-37. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2015_1_6.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Кудрик Ярослав Ярославович (технічні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського