Наукова періодика України Технологія та конструювання в електронній апаратурі


Яцунский И. Р. 
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch / И. Р. Яцунский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2013. - № 6. - С. 52-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2013_6_10
Для получения микро- и наноструктур пористого кремния предлагается использовать метод неэлектролитического травления MacEtch (metal assisted chemical etching). Представлены результаты исследования морфологии структур, полученных при разных параметрах процессов осаждения и травления, и показана возможность их использования в качестве сенсоров газов и биологических объектов.Для одержання мікро- та наноструктур пористого кремнію запропоновано використовувати метод неелектролітичного травлення MacEtch (metal assisted chemical etching). Наведено результати дослідження морфології структур, одержаних за різних параметрів процесів осадження і травлення, показано можливість їх використання як сенсорів газів і біологічних об'єктів.The author suggests to use the etching method MacEtch (metal-assisted chemical etching) for production of micro- and nanostructures of porous silicon. The paper presents research results on the morphology structures obtained at different parameters ofdeposition and etching processes. The research has shown that, depending on the parameters of deposition of silver particles and silicon wafers etching, the obtained surface morphology may be different. There may be both individual crater-like pores and developed porous or macroporous surface. These results indicate that the MacEtch etching is a promising method for obtaining micro-porous silicon nanostructures suitable for effective use in gas sensors and biological object sensors.
  Повний текст PDF - 548.956 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Яцунский И.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Яцунский И. Р. Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch / И. Р. Яцунский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2013. - № 6. - С. 52-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2013_6_10.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського