Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО₂:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки ТiО₂:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях гетероперехода.Досліджено електричні властивості анізотіпних гетеропереходів n-ТiО₂:Mn/p-CdTe, виготовлених методом електронно-променевого випаровування у вакуумі плівки ТiО₂:Mn на монокристалічні підкладки CdTe. Встановлено домінуючі механізми токоперенесення за прямих і зворотних зміщень гетеропереходу.The authors have investigated electronic properties of n-TiO₂:Mn/p-CdTe anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO₂:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been established.

  Повний текст PDF - 180.865 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"