Досліджено вплив акцепторної домішки Y на зміну кристалічної структури, розподілу електронної густини, питомого електроопору, коефіцієнта термоерс, енергетичних характеристик інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у діапазонах: <$E T~=~80~symbol Ш~380> К, <$E N sub A sup Y~symbol Ы~3,8~cdot~10 sup 20> см<^>-3 <$E (x~=~0,02)~symbol Ш~4,8~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,25). Зроблено висновки про механізми електропровідності <$E {roman Zr} sub 1-x {roman Y} sub x roman Ni> та особливості зміни значень коефіцієнта термоелектричної потужності.Досліджено структурні, енергетичні, електрокінетичні та магнітні характеристики інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn, сильнолегованого домішкою Bi. Показано, що одержаний термоелектричний матеріал ZrNiSn1-xBix має високу ефективність перетворення теплової енергії в електричну у діапазоні температур <$E T~=~80~symbol Ш~400> K.