Анізотропія термоЕРС захоплення електронів фононами в n-Ge

Баранський, П. І.; Гайдар, Г. П.

Досліджено концентраційну залежність фононної складової термоерс захоплення електронів фононами в n-Ge за T = 83 К. В інтервалі <$E 9,8~cdot~10 sup 11 ~symbol Г~n sub e~symbol Г~1,7~cdot~10 sup 15~roman см sup -3> вивчено концентраційні залежності параметра анізотропії рухливості K та параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами M, a також встановлено зв'язок, що існує між M, K і фононними складовими термоерс зразків у недеформованому і пружно деформованому станах. На кристалах n-Ge у діапазоні <$E 1,51~cdot~10 sup 15~symbol Г~n sub e ~symbol Г~4,86~cdot~10 sup 17~roman см sup -3> одержано (за кімнатної температури) концентраційну залежність диференційної термоерс <$E alpha>, а також досліджено температурну залежність <$E alpha> в інтервалі від <$E [ 190~symbol Г~T~symbol Г~370 ]> K.


	Наукова періодика України		Термоелектрика