Наукова періодика України | Фізична інженерія поверхні | ||
Маматкаримов О. О. Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления / О. О. Маматкаримов, Р. Х. Хамидов, Р. Г. Жабборов, У. А. Туйчиев, Б. Х. Кучкаров // Фізична інженерія поверхні. - 2012. - Т. 10, № 4. - С. 418-422. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2012_10_4_16 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Маматкаримов О. О. Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления / О. О. Маматкаримов, Р. Х. Хамидов, Р. Г. Жабборов, У. А. Туйчиев, Б. Х. Кучкаров // Фізична інженерія поверхні. - 2012. - Т. 10, № 4. - С. 418-422. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2012_10_4_16. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |