Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении

Набиев, Г. А.


	Наукова періодика України		Фізична інженерія поверхні

Набиев Г. А.
Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении / Г. А. Набиев // Фізична інженерія поверхні. - 2008. - Т. 6, № 3-4. - С. 202-209. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2008_6_3-4_14

Повний текст PDF - 310.547 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Набиев Г.

Бібліографічний опис для цитування:

Набиев Г. А. Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении / Г. А. Набиев // Фізична інженерія поверхні. - 2008. - Т. 6, № 3-4. - С. 202-209. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2008_6_3-4_14.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача