Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al2O3

Осинский, В. И.; Гончаренко, Т. И.; Ляхова, Н. Н.


	Наукова періодика України		Фізична інженерія поверхні

Осинский В. И.
Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al2O3 / В. И. Осинский, Т. И. Гончаренко, Н. Н. Ляхова // Фізична інженерія поверхні. - 2003. - Т. 1, № 1. - С. 94-98. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2003_1_1_15

Повний текст PDF - 520.429 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Осинский В.

Гончаренко Т.

Ляхова Н.

Бібліографічний опис для цитування:

Осинский В. И. Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al2O3 / В. И. Осинский, Т. И. Гончаренко, Н. Н. Ляхова // Фізична інженерія поверхні. - 2003. - Т. 1, № 1. - С. 94-98. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2003_1_1_15.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача