Предложен способ оценки корректности применения соотношений, полученных для энергетического спектра бездефектного кристалла, при анализе результатов эксперимента в легированных компенсированных кристаллах полупроводников, основанный на сравнении рассчитанных по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении производных энергетических зазоров от давления <$E d epsilon sub i "/" dP> с известными величинами. Проанализированы экспериментальные данные и результаты количественного анализа в Ge <$E symbol ...~roman {Au,~Sb}~symbol ъ>, квазибесщелевом <$E roman {CdSnAs sub 2 symbol ...~Cu~symbol ъ}> и бесщелевом p-HgTe полупроводниках. Выяснено, что величины <$E d epsilon sub i "/" dP> энергетических зазоров, рассчитанные согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением давления аномально завышаются или занижаются ввиду усиливающегося влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда.