On the nature of ionic liquid gating of Nd2–xCexCuO4 thin films

Atesci, H.; Coneri, Fr.; Leeuwenhoek, M.; Hilgenkamp, H.; van Ruitenbeek, J. M.

Atesci H.
On the nature of ionic liquid gating of Nd2–xCexCuO4 thin films / H. Atesci, Fr. Coneri, M. Leeuwenhoek, H. Hilgenkamp, J. M. van Ruitenbeek // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 2. - С. 353-359. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_2_17

Recently, ionic liquid gating has been used to modulate the charge carrier properties of metal oxides. The mechanism behind it, however, is still a matter of debate. In this paper, we report experiments on doped and undoped Nd2-xCexCuO4. We find major resistance drops of the bilayer coupled to observations of the presence of a considerable Faradeic component in the gate current and of the appearance of charge transfer peaks in the cyclic voltammetry data. This leads us to propose a mechanism of gating based on irreversible electrochemical reactions, likely due to trace amounts of contaminations present in the ionic liquid. This work is therefore in line with previous reports confirming the presence of irreversible electrochemistry in ionic liquid gated electron-doped cuprates.

Повний текст PDF - 2.857 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Atesci H. On the nature of ionic liquid gating of Nd2–xCexCuO4 thin films / H. Atesci, Fr. Coneri, M. Leeuwenhoek, H. Hilgenkamp, J. M. van Ruitenbeek // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 2. - С. 353-359. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_2_17.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача


	Наукова періодика України		Фізика низьких температур