Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона с пространственно разделенными электроном и дыркой (дырка движется в объеме квантовой точки, а электрон локализован над сферической поверхностью раздела квантовая точка - матрица) в наносистеме, содержащей квантовые точки германия, выращенные в матрице кремния, по сравнению с энергией связи экситона в монокристалле кремния. Установлено, что в такой наносистеме в зоне проводимости матрицы кремния сначала возникает зона состояний электронно-дырочной пары (ЭДП), которая с ростом радиуса квантовой точки переходит в зону экситонных состояний, расположенную в запрещенной зоне матрицы кремния. Показано, что механизмы поглощения света в наносистеме обусловлены переходами электрона между квантоворазмерными уровнями ЭДП, а также переходами электрона между квантоворазмерными экситонными уровнями.

  Повний текст PDF - 335.806 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"