Наукова періодика України Фізика низьких температур


Арапов Ю. Г. 
Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения / Ю. Г. Арапов, С. В. Гудина, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, А. П. Савельев, М. В. Якунин // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 3. - С. 289-303. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_3_14
Экспериментально исследованы продольное rhoxx(B,T) и холловское rhoxy(B,T) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночными и двойными сильносвязанными квантовыми ямами в зависимости от ширины ямы в диапазоне магнитных полей B = 0 - 12 Тл и температур T = 0,05 - 100 K до и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Для образцов до освещения обнаружено изменение характера температурной зависимости сопротивления в нулевом поле rho(T) с "диэлектрического" (drho/dT << 0) на "металлический" (drho/dT >> 0). Показано, что температурная зависимость сопротивления задается температурной зависимостью подвижности mu(T), "диэлектрический" участок которой связан с квантовыми поправками к проводимости в диффузионном и баллистическом режимах, "металлический" - с рассеянием носителей на акустических и оптических фононах. На магнитополевой зависимости продольного магнитосопротивления rhoxx(B,T) вблизи значения индукции, отвечающего равенству muB = 1, наблюдалось слабое изменение с температурой. Обнаружены также необычные температурные зависимости компонент проводимости sigmaxx(B,T) и sigmaxy(B,T) при muB = 1. На sigmaxx(B,T) наблюдается температурно-независимая точка, а sigmaxy(B,T) при muB = 1 сильно зависит от T. Установлено, что такая закономерность обусловлена характером температурной зависимости подвижности носителей заряда mu(T) как в диффузионном, так и в баллистическом режиме. После подсветки ИК излучением во всех образцах наблюдается положительная остаточная фотопроводимость, связанная с двукратным увеличением концентрации носителей заряда. Сопротивление в нулевом магнитном поле rho(T) в таких образцах также испытывает переход от "диэлектрического" к "металлическому" типу проводимости при меньших значениях температуры, чем до подсветки. Показано, что особенности транспорта после освещения связаны с появлением температурной зависимости концентрации носителей заряда.
  Повний текст PDF - 1.588 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Арапов Ю.
  • Гудина С.
  • Неверов В.
  • Подгорных С.
  • Савельев А.
  • Якунин М.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Арапов Ю. Г. Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения / Ю. Г. Арапов, С. В. Гудина, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, А. П. Савельев, М. В. Якунин // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 3. - С. 289-303. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_3_14.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського