The MgB2-based samples were synthesized at 2 GPa at 800 and <$E 1050~symbol Р>C for 1 hour with and without Ti and SiC. X-ray, SEM and Auger structural studies showed that with increasing of manufacturing temperature grain boundary pinning transforms into point pinning, which is well correlated with the transformation of discontinuous oxygen enriched layers into separately located Mg - B - O inclusions in MgB2. Ti and SiC additions can influence the oxygen and boron distribution, but cannot change the type of pinning at relatively low temperatures.

  Повний текст PDF - 1.645 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"