Исследованы образцы разбавленных магнитных полупроводников HgSe:Fe с концентрациями <$E 2~cdot~10 sup 18~<<~N sub roman Fe~<<~3~cdot~10 sup 19> см<^>-3 в интервале температур 77 << T << 300 K методом ЭПР. С помощью микроструктурного анализа показано, что ионы железа однородно распределены в объеме исследуемых образцов HgSe:Fe и не формируют вокруг себя области с кристаллической структурой, отличной от структуры цинковой обманки. На основании расчетов g-факторов показано: источником сигнала ЭПР являются ионы Fe<^>3+, занимающие тетраэдрические позиции в образцах HgSe; форма спектров ЭПР является результатом совместного влияния искажений тетраэдрического окружения ян-теллеровского типа и смещений иона железа из центра тетраэдра; изменение формы спектра при увеличении концентрации объясняется в рамках модели формирования регулярной решетки заряженных доноров. По максимуму температурной зависимости ширины линии ЭПР для образцов с разными концентрациями железа определена температура образования регулярной решетки примесных ионов.

  Повний текст PDF - 1.046 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"