Investigation of formation and annealing of radiation defects in III-V semiconductors under electron irradiation

Goyer, D. B.; Megela, I. G.; Gomonnai, A. V.; Azhniuk, Yu. M.


	Наукова періодика України		Науковий вісник Ужгородського університету

Goyer D. B.
Investigation of formation and annealing of radiation defects in III-V semiconductors under electron irradiation / D. B. Goyer, I. G. Megela, A. V. Gomonnai, Yu. M. Azhniuk // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 2000. - Вип. 8(1). - С. 38-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_2000_8%281%29__8

Проаналізовано вплив опромінення високоенергетичними електронами на електричні й оптичні властивості кристалів InAs, InP, GaP. Визначено, що первинні радіаційні дефекти в напівпровідниках групи A³B⁵ рухливі, а в GaP частково відпалюються навіть за температур, нижчих ніж кімнатна. Розглянуто роль домішок в утворенні складних радіаційних дефектів у кристалах групи A³B⁵.

Повний текст PDF - 691.767 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Goyer D. B. Investigation of formation and annealing of radiation defects in III-V semiconductors under electron irradiation / D. B. Goyer, I. G. Megela, A. V. Gomonnai, Yu. M. Azhniuk // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 2000. - Вип. 8(1). - С. 38-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_2000_8(1)__8.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Ажнюк Юрій Миколайович (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача