У наближенні ефективної маси досліджено спектр електрона в простому та складному еліптичному квантовому дроті (ЕКД), побудованому на основі <$E {roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As>. Одержано точний енергетичний спектр електрона в ЕКД у випадку безмежного потенціального бар'єра на межі розділу середовищ за різних співвідношень величин півосей еліпса. Енергетичний спектр складається із серій рівнів, що відповідають парним та непарним станам електрона, які мають різну поведінку залежно від величини ексцентриситету еліпса, а у випадку виродження еліптичного дроту у циліндричний енергії парних та непарних станів збігаються. Розраховано наближений енергетичний спектр електрона в еліптичному напівпровідниковому квантовому дроті GaAs, покритому плівкою <$E {roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As>, поміщених у діелектричне середовище. Показано, що у такій системі величини розщеплення енергій парних та непарних станів залежать від еліптичності як однієї, так і другої межі поділу середовищ. Одержано залежності електронного енергетичного спектра від розмірів та геометричної форми поперечного перерізу квантового дроту, де спостерігається ефект розштовхування енергетичних рівнів однакової симетрії.

  Повний текст PDF - 560.8 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"