Фодчук І. М.
Вплив опромінення високоенергетичними електронами на дефектну структуру монокристалів Cz-Si згідно високороздільної трикристальної Х-променевої дифрактометрії / І. М. Фодчук, В. В. Довганюк, В. П. Кладько, М. В. Слободян, Т. В. Литвинчук, З. Свянтек // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2008. - Вип. 420. - С. 40-44. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2008_420_8
Досліджено опромінені високоенергетичними електронами (Е = 18 МеВ) монокристали кремнію з використанням методів високороздільної Х-променевої дифрактометрії. Виявлено особливості поведінки КДВ та зміни форми контурів ізодифузних ліній. Для пояснення використано узагальнену динамічну теорію Брег-дифракції Х-променів у кристалах, що містять дефекти кількох типів (сферичні і дископодібні кластери та дислокаційні петлі) та порушений приповерхневий шар.
Цитованість авторів публікації:Фодчук І.Довганюк В.
Кладько В.
Слободян М.
Литвинчук Т.
Свянтек З.
Бібліографічний опис для цитування:
Фодчук І. М. Вплив опромінення високоенергетичними електронами на дефектну структуру монокристалів Cz-Si згідно високороздільної трикристальної Х-променевої дифрактометрії / І. М. Фодчук, В. В. Довганюк, В. П. Кладько, М. В. Слободян, Т. В. Литвинчук, З. Свянтек // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2008. - Вип. 420. - С. 40-44. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2008_420_8.
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)Фодчук Ігор Михайлович (технічні науки)
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити
"Анкету науковця"
|
Повний текст PDF - 561.541 Kb 
Зміст випуску 
Цитування публікації
Пам`ятка користувача