Досліджено спектри екситонного поглинання шаруватих кристалів InSe та GaSe електрохімічно інтеркальованих воднем. Встановлено, що немонотонний зсув, який спостерігається за Т = 77 К для максимуму n = 1 екситонної смуги поглинання, у випадку зростання х виникає внаслідок зростання діелектричної сталої кристала, завдяки появі водню у ван-дер-ваальсівській щілині. Під час дослідження процесу термостимульованої деінтеркаляції із сполук впровадження HxInSe та HxGaSe з використанням термічної обробки встановлено поступове зростання ступеня деінтеркаляції водню від 63 % (<$E х~symbol Ы~0,02>) до 78 % (<$E х~symbol Ы~2,0>) для HxInSe і до 83 % для H4,0GaSe.