Досліджено низькочастотне внутрішнє тертя та динамічний модуль зсуву Gef у монокристалічному Si в інтервалі 20 - 200 <$E symbol Р>C. Виявлено температурний гістерезис внутрішнього тертя та ефективного модуля зсуву в неопромінених і серії опромінених зразків. Поява петлі гістерезису пов'язана із взаємодією генетичних мікродефектів з точковими дефектами в кристалі і їх несиметричним розподілом у процесі нагрівання-охолодження зразків. За допомогою Х-променевих дифракційних методів визначено зміну концентрації, розмірів та спектра мікродефектів у кристалах кремнію, опромінених високоенергетичними частками за умов тривалого природного старіння.

  Повний текст PDF - 531.667 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"