Фотоелектричні властивості p-n-переходів на основі p-InSe<Cd>, створених лазерним опроміненням

Ковалюк, З. Д.; Політанська, О. А.; Заслонкін, А. В.; Нетяга, В. В.


	Наукова періодика України		Науковий вісник Чернівецького університету

Ковалюк З. Д.
Фотоелектричні властивості p-n-переходів на основі p-InSe, створених лазерним опроміненням / З. Д. Ковалюк, О. А. Політанська, А. В. Заслонкін, В. В. Нетяга // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2005. - Вип. 237. - С. 69-71. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2005_237_15

Повний текст PDF - 281.105 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Ковалюк З. Д. Фотоелектричні властивості p-n-переходів на основі p-InSe, створених лазерним опроміненням / З. Д. Ковалюк, О. А. Політанська, А. В. Заслонкін, В. В. Нетяга // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2005. - Вип. 237. - С. 69-71. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2005_237_15.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)

Нетяга Віктор Васильович (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача