Наукова періодика України Наукоємні технології


Костановський В. В. 
Дослідження залежності показників надійності АФАР РЛС від температури активної зони кристала GaN транзисторів / В. В. Костановський // Наукоємні технології. - 2019. - № 2. - С. 254-261. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nt_2019_2_15
Досліджено вплив температури активної зони кристала НВЧ транзисторів приймально-передавальних модулів активних фазованих антенних решіток (АФАР) на показники надійності. Надійність є однією з основних характеристик ефективності РЛС з АФАР, тому пропонована тема дослідження є важливою і актуальною. Проведено аналіз математичних моделей відмов та впливу температури робочої зони кристала на інтенсивності відмов СВЧ транзисторів і мікромодулів. Розглянуто модель Арреніуса для визначення коефіцієнта температурної залежності робочої зони кристала НВЧ транзисторів, виконаних по GaN технології. Представлені моделі раптових і поступових відмов НВЧ транзисторів і мікромодулів. Показані формули для прогнозної оцінки інтенсивностей відмов НВЧ транзисторів і мікромодулів: при раптових відмовах (експоненціальне розподіл); при поступових відмовах (немонотонний дифузний розподіл); при спільному прояві раптових і поступових відмов (композиція експоненціального і дифузійного немонотонного розподілів). На підставі робіт, виконаних раніше автором, розглянуті моделі і представлені формули для розрахунку ймовірності безвідмовної роботи і середнього наробітку до відмови приймально-передавального модуля, антенною підрешітки і АФАР в цілому. Використовуючи зазначені вище математичні моделі, досліджено зміну показників надійності дворівневої АФАР перспективної РЛС при різних значеннях температури робочої зони кристала НВЧ транзисторів передавальних каналів приймально-передавальних модулів. Побудовано графіки зміни середнього наробітку до відмови і ймовірності безвідмовної роботи залежно від температури робочої зони кристала НВЧ транзисторів при різних типах відмов: раптових, поступових і суміші раптових і поступових відмов. Досліджено поведінку середнього наробітку до відмови і ймовірності безвідмовної роботи АФАР від температури робочої зони кристала НВЧ транзисторів. Показано, що при логарифмічній шкалі для середнього наробітку до відмови всі моделі і, відповідно, графіки є лінійними функціями. Отримані результати можуть бути корисні розробникам перспективних РЛС з АФАР при проектуванні систем рідинного охолодження, правильному виборі параметрів НВЧ транзисторів в приймально-передавальних модулях і структури антенної решітки РЛС.
  Повний текст PDF - 1.1 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Костановський В.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Костановський В. В. Дослідження залежності показників надійності АФАР РЛС від температури активної зони кристала GaN транзисторів / В. В. Костановський // Наукоємні технології. - 2019. - № 2. - С. 254-261. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nt_2019_2_15.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Костановський Валерій Вікторович (технічні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського