| Наукова періодика України |
| Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова |
Ирха В. И. Увеличение чувствительности фоторезисторов в магнитном поле / В. И. Ирха, Ю. В. Ирха, С. И. Шишкова // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2015. - № 2. - С. 26-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2015_2_6 Рассмотрены возможности и физические принципы увеличения чувствительности фоторезисторов. Даны основные теоретические соотношения, определяющие их параметры. Показано, что основным путем увеличения чувствительности фоторезисторов является увеличение подвижности и эффективного времени жизни генерированных светом носителей заряда. Помещение фоторезистора в магнитное поле, направленное перпендикулярно электрическому току и световому потоку, увеличивает фоточувствительность в несколько раз. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Ирха В. И. Увеличение чувствительности фоторезисторов в магнитном поле / В. И. Ирха, Ю. В. Ирха, С. И. Шишкова // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2015. - № 2. - С. 26-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2015_2_6. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" |
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
|||||
