Исследована зависимость прямого падения напряжения U и коэффициента усиления <$E beta> от величины потоков электронов, нейтронов и <$E gamma>-квантов, а также влияние эффективной концентрации типозадающей примеси в базовой области и толщины базы на радиационную стойкость планарно-эпитаксиальных транзисторных термодатчиков. Изучено влияние отжига облученных структур на восстановление термочувствительных параметров. Показано, что деградация термочувствительных параметров под воздействием облучения начинается при дозах на 1,5 - 2 порядка выше, чем коэффициента усиления. Степень деградации U и <$E beta> зависит от конструктивно-технологических параметров транзисторов.

  Повний текст PDF - 319.749 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"