Исследованы электро- и теплофизические свойства нанокомпозитов AgI/SiO2 со структурой "ядро - оболочка" (размер ядра AgI <$E symbol @> 40 нм) в диапазоне температур 300 - 450 К в зависимости от толщины оболочки диоксида кремния (5 - 15 нм). Установлена зависимость между температурой фазового <$E beta ~symbol О~alpha>-перехода йодида серебра из диэлектрического в суперионное состояние и толщиной оболочки SiO2. Обнаружено, что электропроводность наносистемы AgI/SiO2 на порядок величины выше, чем йодида серебра в <$E beta>-фазе, и характеризуется обратной зависимостью от толщины оболочки SiO2.

  Повний текст PDF - 236.145 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"