О формировании выпрямляющего контакта в системе полупроводник–вакуум–металл

Ильченко, Л. Г.; Ильченко, В. В.; Лобанов, В. В.

В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан суммарный электростатический потенциал Vi(x) в системе полупроводник - вакуум - металл (ПВМ), учитывающий зарядовое состояние поверхностей полупроводника и металла до контакта. Показано, что непрерывность потенциала <$E V sub i (x ,~DELTA PHI )> при переходе системы ПВМ в контакт может быть сохранена при условии образования двойного электрического слоя (ДЭС) и перераспределения плотностей заряда на границах раздела в соответствии с контактной разницей потенциалов <$E DELTA PHI> и толщиной ДЭС L. Независимость распределения зарядового потенциала в полупроводнике <$E DELTA V sub 1 sup sigma~( x ,~DELTA PHI )> от L при формировании выпрямляющего контакта обусловливает стабильность высоты <$E h ( DELTA PHI )~=~DELTA V sub 1 sup sigma~(x~=~0 ,~DELTA PHI )> запорного слоя во всей плоскости контакта, тогда как высота потенциального барьера <$E V sub 2 ( x ,~DELTA PHI )> внутри вакуумной щели увеличивается с увеличением L в соответствии с распределением потенциала сил изображения <$E V sub 2 sup 0 ( x )> в ней.


	Наукова періодика України		Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології