Мікрокристали алмазу отримані з газу (C2H2 і O2) за температури 600 - 1000 <$E symbol Р>C і атмосферного тиску на підкладках із молібдену. Алмазні покриття зайняли площу діаметром 5 мм на кожній підкладці, швидкість росту кристалів алмазу становила 148 - 160 мкм/год. Виконано електронно-мікроскопічне дослідження синтезованих кристалів алмазу. Розмір алмазних кристалів складає переважно 5 - 30 мкм. Окремі багатогранники, їх прості та складні зростки мають розмір 30 - 50 мкм, а деякі агрегати - 200 мкм. Ріст алмазу відбувся із багатьох точок кристалізації. Алмаз представлений різними багатогранниками та їх зростками і агрегатами. Великі кристали мають кубічний і кубо-октаедричний габітус, вони знаходяться в центрі покриття. Дрібні кристали є октаедрами і кубо-октаедрами, вони часто утворюють циклічні двійники за шпінелевим законом. Ці кристали виросли на крайових частинах покриття. Незвичайними складними двійниками алмазу є ікосаедри. Установлено автоепітаксійний ріст алмазу. Виявлено морфологічні ознаки відмінності кристалів алмазу залежно від розташування місця кристалізації на поверхні підкладки відносно джерела живлення і часу росту. Морфологічні особливості вирощених кристалів СУО алмазу (безліч центрів кристалізації, розмаїтість морфології, груба шаруватість, часте утворення незакономірних зростків і двійників) свідчать про значне пересичення середовища вуглецем і швидкий ріст алмазу.

  Повний текст PDF - 2.119 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"